台积电首次公布2nm制程指标：性能提升15%，功耗下降35%

如果说在AI领域最成功的台积公司是NVIDIA的话，那么在晶圆制造领域最成功的电首无疑就是台积电，过去在10nm、次公程欧易7nm时代还是布n标性英特尔以及三星来跟台积电打得有来有回，而到了5nm乃至于3nm时代，升功基本上就是耗下台积电一家独大了，先进制程吃满产能，台积营收也是电首节节攀升，而在3nm制程之后的次公程欧易制程就是2nm制程，无论是布n标性性能还是功耗将再一次提升。而台积电也在一次半导体会议上公布了最新的升功2nm制程的技术指标，还是耗下相当给力的。

在IEEE 国际电子设备会议上，台积台积电介绍了自家在半导体制造领域的电首最新进度，其中最受关注的次公程便是2nm制程的性能与技术指标。与目前已经商用的3nm制程相比，2nm制程能够取得在相同功耗下性能提升15%，此外在同等性能下，2nm制程的功耗也将下降24%-35%，这个性能参数指标还是相当给力的，特别是对于今后高性能AI芯片来说，更低的功耗能够让能耗更加让人满意。

之前FinFET晶体管十分地成功，不过在更加先进的制程上，FinFET也已经有些力不从心，因此台积电选择了全新的晶体管，这种晶体管相比较FinFET可以在低电压下取得75%的能耗下降，晶体管密度也提升不少。

除了2nm之外，台积电还表示已经开始研发1nm以下的晶体管，当然现在还是很早期，距离正式量产和商用还有很长的一段时间。不过随着2nm甚至1nm的落地，估计未来芯片的成本也将越来越高，从而让终端产品的价格再次提升。

本文地址：http://cpeb.vaabu.cn/html/30c05399916.html